Ученые приблизились к созданию магнитной памяти

Ученые Дальневосточного федерального университета (ДВФУ) и Института Физики Китайской академии наук совместно разрабатывают новый механизм создания магнитной памяти.

В его основе лежат принципы спин-орбитроники — новой области науки и техники, которая ориентирована на прорывные решения в сфере энергоэффективной электроники.

Спиновые системы более энергоэффективны, быстры и надежны, чем традиционные системы записи и хранения информации, такие как жесткие магнитные диски (HDD), твердотельная память (SSD) и оперативная память (DRAM, SRAM). Уже получены положительные результаты экспериментов на основе фундаментальных исследований. Сейчас ученые работают над прототипом первого элемента магнитной памяти.

К примеру, время автономной работы от одной зарядки телефонов или ноутбуков с такой памятью увеличится в несколько раз, а при отключении электроэнергии персональные компьютеры перестанут терять записанные в оперативную память данные из-за измененного подхода к процессам записи и считывания информации и ее сохранения.

Разрабатываемая память пригодится в отраслях, где используются компьютеры для расчетов — от центров обработки данных до автономных автомобилей и прогнозов погоды. В дальнейшем это откроет новые возможности для реализации аппаратных систем искусственного интеллекта и квантового компьютера.